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6 nm、624 nm，这些发射峰起源于Tb3 +的5D4能级到7FJ(J= 6，5，4，3)能级的辐射跃迁，均属于Tb3 +的特征发射。该发射光谱中544 nm处发射峰最强，对应着5D47F5的跃迁。其他发射峰的归属为:491 nm(5D47F6)、586 nm(5D47F4)、624 nm(5D47F3)。


图5 样品的发射光谱（a）和激发光谱（b）
监测波长544 nm，测得样品Sr2.88MgSi3O10∶Tb3 +0.12的激发光谱如图5(b)所示。从图5(b)可以看出，其激发光谱是由200～300 nm的宽带组成的，主激发峰位于249 nm处，属于Tb3 +的48475d的跃迁。
(2)还原温度对发射光谱的影响
考虑到还原热处理温度对样品晶形的形成和发光强度有很大影响，热处理温度不够，基质不能形成，激活剂离子也不能进入基质中;温度过高，则会使样品过度烧结，高温下液相过多，在降温过程中易发生玻璃化，硬度变大，研磨时可能会破坏晶形，导致发光亮度降低，所以本实验选择900℃和1000℃为还原温度，并对样品的发光性能进行比较。图6为900℃和1000℃下还原制得的样品Sr2.94MgSi3O10∶Tb0.063 +的发射光谱。由图6可知，还原温度为1000℃时样品的发光强度比900℃时的显著增强，这是因为1000℃时所得样品的结晶度更高(见图3)。与900℃下所得样品相比，1000℃时主发射峰