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(544 nm)增长的幅度比次发射峰(491nm)更大，因此，样品的绿光发射(5D47F5)更强。



（3）Tb3 +浓度对发射光谱的影响
不同Tb3 +浓度下Sr3-xMgSi3O10∶Tb3 +x的发射光谱如图7所示。由图7可知，Tb3 +浓度对样品的发射峰的形状和位置影响很小，这是由于Tb3 +的发射属于4层内的-跃迁，而4受到5s，5p的屏蔽作用，使其几乎不受外场的影响。从图7还可以看出，Tb3 +浓度(x)对Sr3-xMgSi3O10∶Tb3 +x发光强度影响较大。当x＜0．12时，随着Tb3 +浓度的增加，样品的相对发光强度不断增加;当Tb3 +浓度x为0．12时，样品的相对发光强度达到最大值;此
后Tb3 +浓度进一步增大，样品发光强度反而开始降低，即发生浓度猝灭。这是因为:当激活离子Tb3 +的浓度过低时，由于发光中心较少，因而发光强度较低;随着Tb3 +浓度的增大，发光中心的数量随之增加，于是发光强度随之提高;当激活离子浓度超过某一值时，激活离子之间的相互作用增强，增大了无辐射跃迁的几率，从而使发光效率下降。所以，激活离子浓度存在一最佳值。
（4）Sr3-xMgSi3O10∶Tb3 +x的浓度猝灭机制探究
根据Dexter有关发光材料的浓度猝灭理论，得到浓度猝灭出现后发光浓度与激活剂掺杂浓度的关系:Ix1－s/3，式I为发光强度，x