新型含硅高分子(3)
日期:2013-04-19 13:53
填裂纹和阻止氧扩散;碳化物保证氧化物与C/C复合材料的化学相容性;内层氧化物提高碳化物与玻璃的化学相容性。制备此种涂层的难点在于发展满足各层之间化学相容性的制备工艺和协调各层之间的热膨胀匹配关系。
第二种为:Rh/Ir/碳化物:
Rh是阻止氧扩散能力很强的氧阻挡层;Ir是Rh与碳化物的隔离层:碳化物是Ir与C/C复合材料的隔离层。
(2)抗氧化涂层的制备方法
外涂层的制备方法主要有CVD(化学气相沉积)和包埋法(Pack Cementration),其它方法还有等离子喷涂(Plasmaspray)、溅射(Sputtering)、电沉积(electro-deposition)、浆料刷涂热解工艺等。
气相沉积主要包括CVD,PACVD(PlasmaAssisted Chemical Vapor Deposition:激光辅助化学气相沉积),PLD(Pulsed Laser Deposition:脉冲激光沉积),LICD(Laser-induced Chemical Deposition:激光诱导化学气相沉积)等。
1)CVD:最具有吸引力的CVD涂层材料是SiC、Si3N4,因为它们分别具有5x10-6/k和3x10-6/k的热膨胀系数,与其他抗氧化材料相比,更接近于C/C复合材料的热膨胀系数,且具有高达1700℃的抗氧化能力,如一种小型火箭发动机的推进室就采用了SiC涂层[37]。
N.Popovska等[38]用CVD法制备了两种复合涂层: