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a）SiC/梯度CSiC/SiC涂层，用于温度高于1000℃以上：内层先沉积一层SiC，再通过调节H2/MTS（甲基三氯硅烷）的比率和沉积温度的方法在SiC涂层外侧一次性沉积从CC+SiC的梯度复合涂层纯SiC外层的复合涂层。
b）TiN/梯度CSiC/SiC涂层:制备方法同前，内层用TiCl4/N2/H2的混合体系沉积TiN。
2）PACVD：H.T.Tsou等[39，40]分别用PACVD和CVD法制备了PACVD SiC，PACVD SiC/CVD Si3N4/ SiC和PACVD B4C/CVD Si3N4复合涂层，并与C/C复合材料作了氧化性对比实验，结果表明单单PACVD SiC或PACVD B4C的抗氧化效果并不理想，主要是因为此类涂层的成分不纯，而PACVD SiC/CVD Si3N4/ SiC和PACVD B4C/CVD Si3N4涂层却可以提高C/C复合材料的氧化门槛温度，分别达850℃和700℃，且超过门槛温度氧化速率下降。
3)PLD：在文献[41]中应用PLD技术用液态Si浸渍一定密度的C/C复合材料而制备出了C/C-Si-SiC复合材料，也使用莫来石（3Al2O32SiO2）沉积了莫来石涂层。
4)LICD：在文献[42]中报道了采用LICD技术分别沉积SiC和Ir涂层。
CVD法涂层的制备时间长，而且制备的涂层往往由于与C/C的热膨胀系数不匹配而产生裂纹，为克服这些缺陷近年发展出各种多涂层体系和各种替代工艺。如浆料涂覆反应烧结法[4