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新型含硅高分子(3)
日期:2013-04-19 13:53

43];W.Kowbel等[44]运用CVD和CVR技术结合制备出无裂纹的SiC涂层;A.Joshi和J.S.Lee.[45]将C/C浸于含有Si、Cr、Hf和石墨的浆料中得到涂层,再通过烧结制备出涂层,此法可通过浆料中的Si与C的原位反应生成SiC弥散于涂层中,起到晶粒细化作用,从而阻止裂纹的扩展;西北工大以Si、SiC、MoSi2为原料通过包埋法制备出MoSi2-SiC复相涂层[46]。
四先驱体转化法制备陶瓷基复合材料
Chantrell和Popper[53]于1964年首次提出可使用金属有机化合物(Organo-metallic)作为先驱体制备陶瓷材料。且最初用于制备纤维增强陶瓷基复合材料,其制备工艺如下:
1)合成用作陶瓷先驱体的有机聚合物,这些有机聚合物为液态或可溶于有机溶剂,要求陶瓷先驱体可发生交联反应形成三维、网状的不溶不熔物,以提高陶瓷产率和减少孔隙与裂纹;
2)用陶瓷先驱体浸渍纤维增强体,并进行交联、裂解反应生成陶瓷基复合材料。
交联和裂解过程中先驱体逐步发生了由有机无机的转变过程,网状高分子原位重排,形成新键,同时伴随材料的体积和密度的变化。
要求所用陶瓷先驱体具有以下性能:
a:工艺可行性,即在常温下为液态或可溶于有机溶剂,具有低的粘度,以利于浸渍。
b:室温下性能稳定,长期放置不发
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