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SiC




Carboranesiloxane


SiC-B4C




Polyphenylborazole


BN




Polysilane


SiC




此方法的优点是[55]：
1)裂解温度低(850～1200℃),可无压烧成,纤维的机械和热损伤程度较小；
2)烧成时不引入烧结助剂,制品高温性能好;
3)对先驱体进行分子设计可制备出所需组成和结构的单相或多相陶瓷基体;
4)可借鉴聚合物基复合材料成熟的成型技术制备复杂形状构件。